多少納米的厚度不會擋住電子傳輸

厚度為20~40納米不會擋住電子傳輸，倒置型底發射OLED依次由襯底、陰極、有機異質結電荷產生層、電子傳輸層、空穴/激子阻擋層、磷光染料摻雜發光層、電子/激子阻擋層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極順次連接組成。電子/激子阻擋層材料為TCTA和TAPC中的一種；空穴傳輸層材料為NPB、TCTA、TAPC中的一種摻雜HAT-CN組成，空穴傳輸層材料中HAT-CN的摻雜濃度為10～30wt.％；空穴注入層材料為HAT-CN、MoO3中的任意一種。