IGBT開關的基礎知識

IGBT是絕緣柵雙極型電晶體，由雙極型三極體和絕緣柵型場效電晶體組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有高輸入阻抗和低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600伏及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。